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5 天之前 SiC粉末的常压烧结通常包括以下步骤: 粉末制备. 通过多种合成方法获得SiC粉末, 例如艾奇逊工艺或化学气相沉积 (化学气相沉积). 粉末的粒度经过仔细表征, 纯度, 和其他特性以确 2021年4月21日 摘要：. 本发明公开了一种无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方,制备方法及废料回收制粉工艺,针对于现有配方进行改进,去除配方的酚醛树脂,改用可重复利用的粘结剂,用其它碳 无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方,制备方法及废料回收制粉工艺
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2022年10月21日 无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方、制备方法及废料回收制粉工艺. 1.技术领域. 2.本发明属于无压烧结碳化硅造粒粉技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方、制备方法及废料回收制粉工艺。 3. 背景技 1.1 碳化硅粉末的制备方法. 碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。. 碳化硅的具体生产工艺包括. 加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状。. 必须使用破碎机将其破碎成 碳化硅粉末的生产和应用
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2021年7月30日 简介：本技术提供了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，属于陶瓷技术领域，包括以下步骤：S1、选取碳化硅粉备用，S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘 2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
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2022年1月1日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但 由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 备。 以下是几种常见的固相法。2024年6月6日 本发明属于微粉材料制备，具体涉及一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备工艺。背景技术： 1、碳化硅(s i c)是一种无机物，化学式为s i c。碳化硅在大自然中以罕见的 一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备工艺的制作方法
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本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到混合均匀的颗粒料,将颗 2017年12月5日 采用人工精选或者合成的高纯度原材料,经过精确工艺控制及烧结工艺制备而成的新型特种结构陶瓷材料具备高温强度高、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数 自蔓延合成 β-SiC 粉制备碳化硅陶瓷
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2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计.-SiC是共价键材料，很难烧结。传统的SiC 耐火材料和发热体一般是采用添加硅酸铝质或者高铝质材料作为结合剂来进行烧结，但是致密度不高，强度和其他力学性能也不好。经过近一二十年的发展有着以下工艺 ...无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. - 百度文库
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2016年3月13日 在航空、航天、汽车、机械、石化、冶金和电子等行业得到了广泛的应用。目前，制备高密度SiC陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结等。无压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。2018年11月7日 由于热压工艺自身的缺点而无法应用在商业化生产中，因此无压烧结成了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。 3、碳化硅烧结反应工艺流程图 1 1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶 碳化硅陶瓷的制备技术 - 豆丁网
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2020年12月7日 但制作成本高，难以大批量生产。唐春等采取微波等离子体气相沉积法，利用Si片同时生长SiC同C（金刚石），结果表明：在此方法下，SiC形成和C生长是会发生的竞相过程，为制备SiC-C复合材料制造新途径。2022年1月17日 常压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，通过常压烧结工艺可以制备出大尺寸和复杂形状的SiC陶瓷制品，且成本低，易于实现工业化生产。由于碳化硅陶瓷的难烧结性，其烧结通常需在很高温度（2300 ～2400℃）下进行，并且需要加入少量添加剂 才可致密。碳化硅陶瓷的制备及烧结温度对其密度的影响
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2013年4月8日 课程设计报告 院（部、中心）材料科学与工程学院姓名课程名称特种陶瓷材料课程设计设计题目名称无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计起止时间 2012年05月20日到2011年06月5日成绩 指导教师签名 北方民族大学教务处制目录TOC\o"1 ...2022年7月29日 碳化硅陶瓷环的制备采用干压成型，干压成型要求粉料的流动性要好，从而更好的充实模具；粉料有一定的颗粒级配，使达到较高的堆积密度，减少空气含量；颗粒在压力下易于粉碎，这样可以形成致密坯体；水分含量要均匀，防止坯体内出现大的应力。无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计 - renrendoc
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无压烧结设备简单、易于工业化生产，是最基本的烧结方法。这种方法也被广泛地应用于 纳米陶瓷 的烧结，主要通过烧结制度的选择来达到在晶粒生长最少的前提下使坯体实现致密化。 因为在烧结过程中，颗粒粗化（Coarsening）、素坯致密化（Densification）、晶粒生长（Grain Growth）三者的活化能不 ...2019年12月13日 中国粉体网讯 碳化硅陶瓷具有高硬度、高熔点、高耐磨性和耐腐蚀性，以及优良的抗氧化性、高温强度、化学稳定性、抗热震性、导热性能和气密性，具有广泛的应用。目前，碳化硅陶瓷的烧结方法主要有热压烧结、无压烧结、反应烧结、重结晶烧结、微波烧结和放电等离子烧结法等。【原创】 【汇总】碳化硅陶瓷六大烧结工艺 - 粉体网
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2023年11月8日 热压烧结碳化硅-HPSiC Hot-pressed silicon carbide 工艺简介： 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。2009年11月21日 但它的最大缺点是生产工艺复杂，生产产量低成本高。随着连续热压炉的出现、产量低的缺点有所改善。但它的生产成本还是无法与其它工艺生产的碳化硅的成本竞争。与无压烧结类似，热压烧结碳化硅在无烧结助剂的情况下，仍然无法得到完全致密材料。碳化硅陶瓷材料的制备 - 豆丁网
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特种陶瓷课程设计论文无压烧结碳化硅陶瓷防弹片生产工艺设计.- 二由于陶瓷产品最终性能的要求或者成型过程的需要，成型之前需对粉末原料进行一些预处理，主要包括配料、混料、塑化、造粒等。因此，碳化硅陶瓷环的生产工艺流程主要包括配料、混 ...2023年6月5日 热压烧结：热压烧结是将干燥的碳化硅粉料充填入模型内，从单轴方向边加压边加热，使成型和烧结同时完成的一种烧结方法。 由于加热加压同时进行，有助于颗粒的接触扩散、流动传质过程的进行，能降低烧结温度，缩短烧结时间，得到晶粒细小、相对密度高和力学性能良好的碳化硅陶瓷产品。碳化硅防弹陶瓷的性能及核心生产工艺 - 知乎
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2021年10月14日 1、 无压烧结碳化硅陶瓷环的生产 工艺设计 北方民族大学课程 设计报告 系（部、中心） 材料科学与工程学院 姓 名 学 号 专 业 同组人员 课程名称 设计题目名称 起止时间 成 绩 指导教师签名 北方民族大学教务处 1 1 目录 1 产品简介 . 1 1.1 碳化硅陶瓷的发展情况 . 1 1.1.1 碳化硅行业发展现状 . 1 1.2 ...2021年12月11日 2.2 生产工艺流程的基本步骤 无压烧结碳化硅陶瓷的制备过程主要包括： （1）将 10um的 SiC 颗粒粉磨加工成 1.0um； （2）对原料进行化学提纯，主要是 去除 Si 和 SiO2； （3）料浆制备：同时加入添加剂； （4）喷雾干燥制粒：粒度在 60 ～ 80 目之间 ...无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的工艺生产设计.doc 45页 - 原创 ...
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2018年2月22日 四、碳化硅的制备方法4.1碳化硅粉料的制备4.1.1SiO2-C4还原法工业上按下列反应式利用高纯度石英砂和焦炭或石油焦在电阻炉内生产SiC:4.2碳化硅陶瓷的制备SiC很难烧结,其晶界能与表面能之比很高,同时SiC烧结时扩散速率很低,它表面的氧化膜也起扩散势垒的2024年7月8日 资源浏览阅读192次。 "无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计" 本文详细介绍了无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计，包括原料选择、粉体制备、成型、烧结以及后续机械加工等关键步骤，旨在优化生产流程，提高产品质量。 1. 前言 碳化硅（SiC）是一种人工合成的高性能陶瓷材料，因其 ...无压烧结碳化硅陶瓷防弹片生产工艺探究 - CSDN文库
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2023年6月25日 1.2无压烧结碳化硅 无压烧结碳化硅陶瓷材料优势在于生产成本较低，对产品的形状尺寸没有限制，特别是固相烧结SiC陶瓷的致密度高，显微结构均匀，材料综合性能优异，多用于各类机械泵中的密封件、滑动轴承及防弹装甲、光学反射镜、半导体晶圆夹具等。2019年8月13日 无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的工艺生产设计 课程设计.doc,北 方 民 族 大 学 课程设计报告 院（部、中心） 材料科学与工程学院 姓 名 林星光 学 号 2010908 专 业 材料科学与工程 班 级 101 班 同组人员 林晓 景小宁 蒋娜 李锐 课程名称 特种陶瓷材料课程设计 项目名称 无压烧结碳化硅陶瓷防弹片无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的工艺生产设计 课程设计.doc
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2021年7月30日 简介：本技术提供了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，属于陶瓷技术领域，包括以下步骤：S1、选取碳化硅粉备用，S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘干，S3、将碳化硅粉等静压制成型陶瓷，S4、对压制成型的陶瓷进行烧结，获得无压烧结碳化硅陶瓷。2011年9月27日 北方民族大学课程设计报告系（部、中心）材料科学与工程学院姓名学号专业材料科学与工程班级材料（一）班同组人员课程名称特陶课程设计设计题目名称无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计起止时间2011-5-23-2011-6-5成绩指导教师签名北方民族大学教务处制特种陶瓷课程设计-无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计 - 豆丁网
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对复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的种类、特点进 行综述,以期为复杂结构碳化硅陶瓷的制备提供 一定理论指导。1 冷等静压成型结合无压烧结制备技术 冷等静压成型结合无压烧结制备技术是指将陶 瓷造粒粉或预成型的陶瓷素坯放入橡胶套内,利用液2024年6月28日 碳化硅陶瓷生产过程包括粉体制备、成型、烧结等，与单晶制备有较大差异。而根据烧结工艺的不同，碳化硅陶瓷又分为无压烧结碳化硅陶瓷、反应烧结碳化硅陶瓷、重结晶碳化硅陶瓷。碳化硅陶瓷：我不配叫“碳化硅”？
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2023年3月13日 概述 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶锭，然后对其进行切割、打磨、抛光后得到透明的碳化硅衬底，其厚度一般为 350 μm；2023年5月19日 目前商业化生产的高纯SiC粉体原料纯度一般只能达到99.999％的纯度，其中的氮含量大都在5×10 16 个/cm 3 ... 该发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。生长SiC晶体用的高纯碳化硅粉料如何制备？-技术-资讯-中国 ...
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2020年6月10日 纯净的碳化硅是无色透明的，但工业生产的碳化硅由于其中存在游离碳、铁、硅等杂质，产品有黄、黑、墨绿、浅绿等不同色泽，常见的为浅绿和黑色。 碳化硅的相对分子质量为40.09,其中硅占70.04%，碳占29.964。真密度3.21。熔点(升华)2600℃。晶型 ...2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...碳化硅 - 百度百科
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2022年5月20日 固相法是利用两种或两种以上的固体物质，通过充分研磨和高温煅烧生产碳化硅的传统方法。该法 生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率 ...
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