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2021年2月1日 新工厂将采用最先进的SiC制造技术，以提高生产效率、扩大晶圆直径和增加产量，新工厂旨在将二氧化碳排放量比传统工厂降低20％。 ROHM的筑后市工厂 仅在本月，就有 21 小时之前 突破硬度瓶颈：碳化硅衬底加工的核心技术与未来趋势. 作为半导体行业的重要衬底材料，碳化硅单晶凭借其卓越的热、电性能，在高温、高频、大功率以及抗辐射的集成电子器 突破硬度瓶颈：碳化硅衬底加工的核心技术与未来趋势
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5 月 4, 2021 新闻. 2021 年 5 月 4 日，美国亚利桑那州钱德勒 – Axus Technology（Axus）是为半导体应用提供 CMP、晶圆减薄和晶圆表面处理解决方案的全球领先供应商，一直致力于开 2023年10月27日 生产碳化硅器件主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节。 按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件： （1）导电型碳化硅功率器件. 功率器件又被称为电力电子 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
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2024年10月15日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 2021年7月14日 碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家 碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化 - CAS
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2024年6月8日 《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键 2023年9月27日 国内设备相对国外在技术、成本和性价比方面具备优势，在SiC产业即将迎来井喷之际，时间上不允许国外几家厂商进行大的技术方案革新或者推倒重来。预计接下来2-3年SiC MOCVD会出现和LED MOCVD格局类似的 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
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2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底 2023年9月3日 目前流行的 IGBT 模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商的命名也 ... 半导体芯片与器件的设计、制造和销售，拥有IGBT、MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，建有IGBT产品 ...IGBT生产关键技术点及国内国外主要厂商汇总 - 知乎
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2024年9月12日 全球8英寸碳化硅晶圆的生产进程正在稳步推进，各大厂商的战略布局将为未来的市场竞争奠定坚实的基础，碳化硅市场正在迎来一个新的发展高峰。这些新建与扩建项目不仅将在未来几年内逐步释放8英寸产品的产能，也将为整个行业带来技术和工艺的持续进步。2024年1月24日 从产品来看，国内碳化硅产品主要集中在中低端市场，真正用于高精尖科技，比如：高级研磨粉、精密电子元件等方面的碳化硅产品生产工艺技术还被国外垄断； 在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够，国内产品国内外碳化硅产品标准比对分析 - 模拟技术 - 电子发烧友网
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2024年2月6日 从产品来看，国内碳化硅产品主要集中在中低端市场，真正用于高精尖科技，比如：高级研磨粉、精密电子元件等方面的碳化硅产品生产工艺技术还被国外垄断；在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够，国内产品2019年9月5日 以下为国内碳化硅产业主要公司： 山东天岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。 天科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司，量产2-4英寸晶片。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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2023年9月27日 碳化硅晶片生产工艺流程-采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值 ...2023年12月8日 山东天岳的碳化硅技术起源于山东大学晶体国家重点实验室，公司于2011年购买了该实验室蒋明华院士专利，并投入了大量研发，历经多年工艺积累，将碳化硅衬底从实验室的技术发展成为了产业化技术；山东天岳除30人的研发团队外，还在海外设有6个联合研发半导体碳化硅（SIC）功率器件产业链上游细分环节； - 知乎
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2022年5月27日 碳化硅衬底的生产成本高，而且制作工艺技术密集，生产难度大，在制作流程中存在很多还没有被解决的问题： 制作流程的第一步是将合成的碳化硅粉在氩气环境下加热到2500℃以上，破碎、清洗之后得到适合生长的高纯度的碳化硅微粉原料。2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
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2022年10月9日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、 2020年6月10日 除了用烧结法制造碳化硅制品以外，自从发明了热压烧结技术以后，碳化硅制品也可以用热压法制造，并且可以获得更优良的烧结性能。热压工艺是把坯料的成型和烧成结合为一个过程，即坯料在高温同时又在压力下一次成型并烧结。碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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2024年2月6日 从产品来看，国内碳化硅产品主要集中在中低端市场，真正用于高精尖科技，比如：高级研磨粉、精密电子元件等方面的碳化硅产品生产工艺技术还被国外垄断；在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精 2021 年 5 月 4 日，美国亚利桑那州钱德勒 - Axus Technology（Axus）是为半导体应用提供 CMP、晶圆减薄和晶圆表面处理解决方案的全球领先供应商，一直致力于开发和改进先进的 CMP 工艺性能和硬件能力，以满足先进的单晶片碳化硅 (SiC) CMP 应用需求。 这些工作的主要重点包括 1) 薄/易碎晶圆处理的可靠性 ...Axus Technology 宣布先进的单晶片碳化硅 CMP 具有业界 ...
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2024年1月26日 到了1892 年，Acheson改进了合成工艺，他将石英砂、焦炭、少量木屑和NaCl混合均匀后放在电弧炉中加热到 2700℃， 并成功的获得了鳞片状的 SiC 晶体。这种合成SiC晶体的方法被称为 Acheson法，至今依然是工业上生产 SiC 磨料的主流方法。2024年8月14日 另据韩媒6月报道，英飞凌将从2025年第三季度将其碳化硅功率半导体生产工艺从6英寸升级为8 ... 材料供应商Entegris近日宣布，已与芯片制造商安森美半导体达成长期供应协议，提供制造碳化硅（SiC）半导体的技术解决方案。8英寸碳化硅，如火如荼-全球半导体观察
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1990年10月23日 提高碳化硅磨料生产工艺的效果-维普网】-仓储式在线作品出版 摘要:研究制订了检查碳化硅磨料质量与其生产工艺条件之间的关系的方法:按照聚集性指数,即每个磨料颗粒的平均单晶数目来检查。2023年1月2日 另一种气体法是化学气相沉积法，这种方法是直接加热碳烃和硅烃化合物反应生产碳化硅，并建立特殊的温度梯度，使得发生反应后的 ... 由于切片效率问题，许多国外企业采取更为先进的激光切割和冷分离技术，激光切割技术则是通过激光处理 ...碳化硅 SiC ~ 技术革新 - 知乎
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因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。2021年4月7日 三.国内生产工艺现状 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序依靠人力完成，人均产量较低。（2【原创】 简述碳化硅的生产制备及其应用领域 - 粉体网
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2021年12月2日 今年8月，日本产业研究所表示，他们团队可以实现碳化硅晶圆的高速整平开发封装技术。特别是在低速的镜面加工中，获得了比以前快12倍的抛光速度。按照他们所说，其建立了一种新的批量式加工技术，可与片式加工方法的镜面磨削工艺相媲美。2024年2月6日，碳化硅 (SiC) 材料市场领导者 ESK-SIC 与专门从事技术陶瓷和半导体技术制造的全球科技公司京瓷 (Kyocera) 宣布，双方已建立战略合作伙伴关系，旨在开发创新解决方案，以实现碳化硅及相关最终产品的可持续生产。ESK-SIC与KYOCERA合作以实现碳化硅可持续生产
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2024年7月11日 从产品来看，国内碳化硅产品主要集中在中低端市场，真正用于高精尖科技的如高级研磨粉、精密电子元件等方面的生产工艺技术还被国外垄断。在 ...生产工艺全部采用德国FCT先进的工艺技术软件．生产所需原材料从德国进口。 从2005年12月1日起，我公司又从德国引进大容积的中频反应烧结炉，并开始规模化生产长度为3.8米的重结晶碳化硅辊棒和横梁。-福赛特（唐山）新材料有限公司
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2023年12月12日 最大阻力 银烧结技术在国外发展遇到的主要问题是：银烧结技术所用的纳米银成本远高于焊膏，银浆成本随着银颗粒尺寸的减小而增加，同时基板铜层的贵金属镀层也增加了成本；银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；银烧结预热、烧结整个过程长达60以上，生产效率 ...2023年4月26日 2. 碳化硅工艺难度大，衬底制备是最核心环节 衬底制备是最核心环节，难度集中在晶体生长和衬底切割。从原材料到 碳化硅器件需要经历原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、外延生长、晶圆制造和封测等工艺流程。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
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2024年7月11日 从产品来看，国内碳化硅产品主要集中在中低端市场，真正用于高精尖科技的如高级研磨粉、精密电子元件等方面的生产工艺技术还被国外垄断。在碳化硅深加工产品上缺乏高端技术产品，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够、技术2024年2月27日 碳化硅衬底产业全景：国内外主要厂商分布图-中国在碳化硅衬底领域的布局显示出了其对半导体材料自主供应链建设的重视。随着全球对高效能、高耐用性电子器件需求的增加，碳化硅衬底由于其在高温、高电压和高频率应用中的优异性能而变得越来越重要。碳化硅衬底产业全景：国内外主要厂商分布图 - 模拟技术 ...
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2022年10月11日 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。2024年6月8日 图书简介 《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献 ...英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著！《碳化硅器件 ...
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