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2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过程。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
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2019年7月25日 碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 2 天之前 克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用. 随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。. 作者：Catherine 克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用 - SEMI大 ...
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2019年7月18日 碳化硅协同栅极驱动为电动车与混动提供广泛的车载应用解决方案，主要应用在车载充电器、降压转换器和主驱逆变器上。 目前主驱以IGBT为主，SiC应用正在研发中，预计2021年之后可以走向市场。2024年5月6日 碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解. 碳化硅晶圆的工作流程涉及多个关键步骤，这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造，需要制备 碳化硅 晶圆的前驱体。. 这通常包括使用特定的气体（如烷基气体和硅烷）进行净化 碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 - ROHM技术社
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2023年9月12日 碳化硅（SiC）是一种宽禁带 半导体 材料，具有优异的物理、化学和电学性能，在高温、高频、 高压 等恶劣环境下具有很高的稳定性和可靠性。. 本文将对SiC碳化硅的基 2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关 一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 - 电子工程专辑 EE ...
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2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...2024年8月15日 工作原理：碳化硅涂层凭借其高硬度和化学惰性，能够在高温环境下保持稳定的物理结构，防止金属基材表面在高速摩擦下发生磨损。 此外，碳化硅的高熔点（约2700°C）确保了涂层在极端高温下不发生软化或熔融，从而提供持久的保护。金属表面喷涂碳化硅：耐高温抗腐蚀新材料，制造能源领域 ...
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2022年8月10日 碳化硅 器件产品目录 碳化硅二极管产品目录 碳化硅MOS产品目录 碳化硅模块产品目录 ... 首页 / 工程师家园 / SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 SiC MOSFET 的制造工艺与工作原理 2022/08/10 分类:工程师家园 1486 0 2023年12月31日 SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业 第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅半导体-CSDN博客
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2024年1月26日 非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体, ... 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。2024年3月7日 碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球 ...「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
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2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 ... 虽然SiC最后通过人工合成可以制造，但因加工极其困难，所以SiC 功率元器件量产化曾一度令研究者们头疼。 日前，罗姆 ...2023年6月28日 书中详细介绍了碳化硅材料在功率器件、微波器件和光电子器件中的应用。重点讲解了碳化硅功率器件的结构和特点，如MOSFET、JFET、Schottky二极管和晶体管。书中还讨论了碳化硅器件制造中的关键技术和挑战，包括工艺和加工技术、掺杂和封装技术等。《碳化硅技术基础》书评：SiC工艺的增长、表征、器件和应用
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制造原理 光固化成型 碳化硅陶瓷光固化增材制造工艺主要利用光固化技术，通过特定波 长的光源照射光敏树脂，使其逐层固化成型。 陶瓷浆料制备 将碳化硅陶瓷粉末与光敏树脂按一定比例混合，制备成适用于光固 化成型的陶瓷浆料 ...碳化硅场效应晶体管的制造 首先是碳化硅衬底，然后是覆盖在基本碳化硅元件上的绝缘层，最后是栅极、漏极和源极。 碳化硅 MOSFET 的工作原理是什么？ 碳化硅场效应晶体管的工作原理是利用 PN 结的电场来控制电流。当控制电极施加一定电压时，PN 结的 ...碳化硅 MOSFET：综合指南 - 亚菲特
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2024年4月1日 中游器件制造环节，不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。 当然 碳化硅 材料的特殊性质决定其 器件 制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使 碳化硅 器件 耐高压、大电流功能的实现。2021年8月16日 来说说第三代半导体产业链中技术发展较快、市场空间广阔、已经实际应用、国内追赶最紧的其中一个链条：碳化硅。文章尾部有干货：相关国内公司及业务进展情况。 碳化硅的优势硅，是制造半导体芯片及器件最为主要的第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
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2023年10月31日 在往期的集微访谈栏目中，爱集微有幸采访了华义创投高级投资经理方亮，方亮先生专注于半导体产业链股权投资。布里斯托大学公共政策硕士，清华大学工学学士。集微访谈就关于我国碳化硅晶体制造现状、展望等方面 2021年8月8日 《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理 特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象 ...碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用 - 芯知社区
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2024年5月6日 蚀刻碳化硅晶圆是一项涉及复杂物理和化学作用的技术。蚀刻过程通过产生包含活性自由基的等离子体来实现，这些自由基与碳化硅表面材料发生化学反应，实现化学刻蚀。同时，正离子的物理轰击作用辅助化学刻蚀过程。为确保蚀刻的精确性和可重复性，需优化蚀刻条件如等离子体密度、自由基 ...2021年6月11日 国内碳化硅产业起步较晚， 但已形成一定基础， 目前正高速发展， 如 SiC 衬底制造商天科合达等， 外延制造商东莞天域、 瀚天天成等， 器件制造商南京国盛、 泰科天润等， 华润华晶微电子和华虹宏力也在积极布局 SiC 器件[10]。第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
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2021年5月17日 最近，SiC引起了广泛关注，这不仅是因为它的特性，还因为该器件与IGBT相比，价格更具竞争力。另一方面，半导体制造商还在系统层面采取了长期投资的策略，以保证碳化硅MOSFET的供应。毫无疑问，意法半导体是首屈一指的碳化硅器件供应商。2023年4月1日 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。SIC MOSFET碳化硅芯片的设计和制造 - 知乎
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2023年2月14日 碳化硅原理及应用-碳化硅是一种半导体材料，它具有优异的电子特性，可以用于制造 电子器件。它是由碳原子和硅原子组成的，具有高熔点、高热稳定性和高电阻率等特性。 扫一扫，分享给好友 复制链接分享 电子发烧友App ...2022年11月2日 碳化硅器件制造 的工艺流程 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。而 ...SiC碳化硅器件制造那些事儿 - 电子工程专辑 EE Times China
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2024年5月31日 （图一.制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘 ... 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。2022年7月28日 艾奇逊法为第一个将SiC粉末投入大量制造的方式，其原理如图7。 将氧化硅粉末与有机碳基混合反应物(reaction mixture)置于炉(furnace)中，并使贯穿炉体的石墨电极通上电流，使其产生碳热反应(Carbothermic 第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析-EDN 电
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2019年6月13日 全球导通型碳化硅晶圆材料市场的发展趋势。导通型碳化硅单晶衬底材料是制造碳化硅功率半导体器件的基材。 根据Yolo公司统计，2017年4英寸碳化硅晶圆市场接近10万片；6英寸碳化硅晶圆供货约1.5万片；预计到2020 2023年2月2日 碳化硅技术基本原理-碳化硅技术基本原理 介绍 啥是碳化硅（SiC）？ 跟传统半导体材料硅相比，它在击穿场强、禁带宽度、电子饱和速度、熔点以及热导率方面都有优势。 比如，在相同耐压级别条件下，Si-MOSFET必须要做得比较厚，而且耐压越高 ...碳化硅技术基本原理 - 模拟技术 - 电子发烧友网
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2024年3月7日 更高的精度 ：光固化技术采用了逐层堆积的方式进行制造，能得到更好的表面光洁度、以及更极限的特征尺寸。 更高的强度 ： 利用光固化技术可以采用更精细的碳化硅粉材制成高固含量膏料，也可以加入特定的增强材料如碳纤维等，并通过特定的烧结工艺生成高致密、高强度的碳化硅陶瓷。2024年4月10日 6. 器件制造难点：碳化硅器件制造过程中的掺杂步骤需要在高温下完成，且需要采用高温离子注入的方式，这与传统硅基器件的扩散工艺不同。这些步骤需要精密的设备和严格的工艺控制，以确保器件的结构和功能。综上所述，碳化硅的制备难点相较于传统硅基器件主要在于更高的制备温度、更慢的 ...SIC知识--（2）：衬底生产工艺难点 - CSDN博客
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2024年2月29日 碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域-碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更高的温度和电压下工作，实现更高的功率密度和效率。2 天之前 图 3 - 碳化硅制造工艺（来源： 安森美 ） 支持研究 安森美 意识到学术界在半导体技术发展中的重要性。就 SiC 而言，目前正在以下领域开展研究： 对宇宙射线的抗扰性 栅极氧化物的固有寿命建模 碳化硅 / 二氧化硅界面特征描述和寿命建模克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用 - SEMI大 ...
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2024年3月6日 碳化硅（Silicon carbide，SiC）是一种重要的结构陶瓷材料，具有密度低、强度高、耐高温、抗腐蚀、导热系数高、热膨胀系数小等优点，在机械制造、航空航天、石油化工、半导体工业等领域获得了广泛应用。但碳化硅是一种共价键化合物，硬度高、脆性大，难以机械加工。2022年3月2日 将 3D 打印技术应用于碳化硅反射镜的制造中,可以使反射镜设计更加自由化,同时缩短制造周期,从而解决复杂结构陶瓷部件的制备问题。 国内外学者采用三维打印(3DP) [6] 、浆料直写(DIW) [7] 、激光选区烧结(SLS) [8] 、立体光固化(SLA) [9] 等 3D 打印技术已实现了碳化硅陶瓷材料及部件的成功制备。立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性 CERADIR ...
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