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2023年9月20日 用HRTEM 透射电镜和FT-IR 红外光谱对碳热还原法制备的纳米碳化硅进行表征。 结果表明，在820~880 cm −1 处有强吸收峰，证明为β-SiC 的伸缩振动，其次材料具有晶体结 2017年5月23日 国内外科学家一直致力于优化碳化硅冶炼合成的方法，Mcc01lIl [5】设计出一种新式fl-SiC合成设备，该装置中下部的SiO和Si在高温下形成Si02气体，上升同碳粉层反应生 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 - 道客巴巴
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2007年3月28日 在本文中，研究了使用硅藻土作为 Si 前驱体通过碳热还原反应低温合成碳化硅 (SiC) 的可能性。 使用塞尔维亚来源的硅藻土和作为还原剂的炭黑。 具有恒定 C/SiO2 比 (C/Si 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟. 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 - 百度学术
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2017年9月11日 本文以酚醛树脂和硅藻土为原料、以硝酸铁为催化剂前驱体、通过催化碳热还原反应的方法制备SiC粉体,研究反应温度、催化剂用量和反应时间等因素对合成SiC粉体的影响以及使用纳米Fe催化SiO 2 生成SiC的机理。 1 实 本文采用碳热还原Si02在常压无金属催化剂的条件下制备SiC纳米线,结合X射线粉末衍射(XRD),傅立叶红外光谱(FT-IR),扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM)等分析 碳热还原制备碳化硅纳米线及其性能研究 - 百度学术
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外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量：. 86. 作者：. 王峰峰. 摘要：. 本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理优势,使用石英砂为 2020年7月20日 采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征，探究了原料粒度对合成碳化硅物相、形貌、粒度和反应程度的影响规律。结果表明：原料粒度对碳化硅的合成反应进行程度及产物碳化硅的物 原料粒度对合成碳化硅的影响研究 - cip
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2023年10月27日 Lee等将甲基改性二氧化硅气凝胶/碳混合物在高温下进行碳热还原反应，制备了 SiC 粉体。该实验研究了碳热还原温度以及原料的摩尔比 n( C) /n( SiO2 ) 对 SiC 粉体形貌和纯 2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
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2024年1月15日 在常压、无金属催化剂的情况下，通过碳热还原二氧化硅和炭黑，在 1550 °C 下制备了高质量的 SiC 纳米线（NW）。分别在石墨坩埚和氮化硼坩埚中合成线性和链珠状 SiC 纳米线。在相同条件下，BN坩埚获得的SiC纳米线的质量大于石墨坩埚获得的SiC ...2019年8月23日 其中碳热还原法因原料来源广、合成 工艺简单、晶须生成率高、经济成本效益高而被广泛采用。尽管农业废弃物，比如稻壳、椰壳已被用来合成碳化硅晶须[5-6]，但是，以价格低廉的工业固体废弃物为原料制备碳化硅晶须尚未见报道。目前，对微 ...催化剂、温度和保护气体对微硅粉合成碳化硅晶须的影响 ...
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2015年1月13日 《1 前言》 1 前言 氮化硅（Si 3 N 4 ）是一种完全致密的、高强度、高韧度的高级陶瓷材料，尤以其良好的高温性能得到广泛关注。 高温下的Si 3 N 4 具有高强度、高硬度、抗蠕变、抗氧化和抗热冲击等优良性能。 合成氮化硅的主要途径有3种：金属级 ...2016年8月29日 第4期何晓燕等：微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体63微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体何晓燕，王兴磊，张艺，吕春友，欧阳艳*（伊犁师范学院化学与生物科学学院，新疆凝聚态相变与微结构重点实验室，新疆伊宁835000）摘要：基于碳热还原法制备碳化硅的原理，针对该方法合成成本高，反应 ...微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 - 豆丁网
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2012年5月11日 第39卷第2期人工晶体学报Vo.l39No.22010年4月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSApri,l2010合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响张颖,蒋明学,张军战(西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安710055)摘要:以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500、1550、1600制备了SiC晶须。2010年5月4日 摘要： 对二氧化硅碳热还原氮化合成 氮化硅的反应体系进行了热力学和动力学分析，主要研究了反应温 度和氮气流量对si，N。、Si：N：O和SiC生成的影响。热力学研究表明，Si，N。的生成需要足够高的温度(高于 ...碳热还原氮化制备氮化硅粉体 反应条件研究木
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2015年7月13日 从差热分析图谱可知, 在样品烧结过程中, 应采用分段升温的方式, 避免由于升温过快, 导致产生的气体 挥发物迅速膨胀, 造成样品开裂粉碎, 对碳源和硅源的紧密结合造成不利影响, 破坏碳热还原反应的进行。 3. 2碳化硅的合成 图 4是所得碳化硅样品的 XRD图谱。2023年8月25日 随后，原位制备单分散空心 SiC/C 纳米球（直径 90 ± 5 nm）通过碳热还原。 中空结构是通过热解形成的，消除了去除模板的额外程序。 通过合成温度（1400、1450、1500°C）和使用不同的原材料比例精确控制纳米球的结构、尺寸和组成。轻松合成空心 SiC/C 纳米球以实现高性能电磁波吸收,Carbon ...
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2023年10月27日 该实验研究了碳热还原温度以及原料的摩尔比 n( C) /n( SiO2 ) 对 SiC 粉体 ... 马康夫等采用 C 粉、Si 粉直接反应合成碳化硅粉体，特别地，在合成过程中通入 H2辅助高纯 SiC 粉体的合成，并将合成的粉体与未通 H2合成的粉体进行了对比研究 ...摘要： 以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响.实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温3h基本上全部 ...碳热还原法低温制备碳化硅微粉 - 百度学术
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2017年12月29日 但对于碳热还原硅石的 机理研究缺乏有效的理论分析。本文利用扩散偶的方法研究了碳热还原硅石的反应过程、及其影响反应 过程的动力学因素，为提高矿热炉热还原效率，提高矿热炉生产的经济效率提供理论基础。 2. 实验材料及方法 将分析纯的化学试剂SiO2020年7月20日 摘要： 以轮胎半焦为碳源，石英砂为硅源，在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征，探究了原料粒度对合成碳化硅物相、形貌、粒度和反应程度的影响规律。原料粒度对合成碳化硅的影响研究 - cip
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2017年12月31日 溶胶_凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅.docx,－王冬华（渭南师范学院化学化工系，渭南 714000）摘 要 采用糠醇、正硅酸乙酯作为碳源、硅源，在溶 胶－凝胶过程中加入硝酸钴为催化剂，含氢硅油为结构助剂，通过碳热还原的方法制备出高比表面积碳化硅。2015年5月1日 摘要 提出了一种改进的溶胶-凝胶法制备碳化硅超细粉体。在该方法中，四乙氧基硅烷 (TEOS) 和蔗糖用于制备二元碳质硅干凝胶，硝酸铁在溶胶-凝胶工艺中用作催化剂。溶胶-凝胶和碳热还原法合成和表征碳化硅超细颗粒,Ceramics ...
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2023年10月30日 碳化硅陶瓷 该方法是采用碳热还原过程将SiO2与C反应生成SiC。二氧化硅原料可选用熔融石英砂或破碎过的石英岩，碳可用石墨、石油焦或无灰无烟煤制取，加入NaCl和木屑作为添加剂，一般在2000~2400℃的电弧炉中反应合成。2016年2月19日 各种类型的二氧化硅/碳（SiO 2 / C）复合材料的磁热还原已经常用于合成硅/碳（Si / C）复合材料和碳化硅（SiC）材料，这些材料在锂的研究领域中非常重要离子电池（LIB）和非金属氧化物陶瓷。然而，到目前为止，尚未完全理解如何通过镁热还原由组成相同的母体材料（SiO 2 / C）产生完全不同的Si或 ...结晶相的变化：通过使用二氧化硅/碳复合材料的镁热还原来 ...
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碳热还原法是一种能降低生产成本和颗粒大小，提高产物纯度和电导率的新型制备方法。P.P.Prosini等以(NH4)2Fe(SO4)2和NH4H2PO4为原料首先合成FePO4，然后用LiI还原三价Fe，并在 还原性气氛 下（Ar:H2=95:5）于550℃加热1 h后合成了最终样品，其在0.1C倍率下的室温初始放电容量为140 mAhg-1。本文采用碳热还原Si02在常压无金属催化剂的条件下制备SiC纳米线,结合X射线粉末衍射(XRD),傅立叶红外光谱(FT-IR),扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM)等分析测试方法,分析了SiC纳米线的成分,形貌和微观结构.研究了影响碳热还原碳热还原制备碳化硅纳米线及其性能研究 - 百度学术
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2024年2月11日 本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅（SiC）的创新工艺。结果表明，酸浸渣无定形二氧化硅含量高达84.20%，粒径细小，d50 = 29.16 μm，是制备SiC的理想硅源。与炭黑、活性炭、石墨相比，焦炭是更适合制备SiC的碳源。2020年3月24日 总体来说，大致可以分为三种方法。第一种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成 ... 目前液相法合成碳化硅 粉体的技术已经较为成熟，利用液相法合成的碳化硅粉体纯度高且为纳米级的微粉，然而工序较为复杂，且易 ...高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
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2012年12月1日 2溶胶凝胶法合成碳化硅的形貌与反应机理靳国强郭向云中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化 ... 的原因显然与前躯体的 化学组成和结构有关 为了便于分析和讨论 我们 首先简单探讨碳热还原的反应机理 图 3.碳化硅纳米线的 TEM 图片 3.1 热还原 ...1998年5月1日 研究了通过碳包覆二氧化硅和与炭黑混合的二氧化硅的碳热还原合成β碳化硅（β-SiC）粉末。使用碳包覆二氧化硅生产 β-SiC 粉末包括两个步骤。第一步是通过碳氢化合物气体 (C3H6) 的热裂解用碳包覆气相法二氧化硅颗粒来制备碳包覆二氧化硅前体。使用碳包覆气相二氧化硅合成 β 碳化硅粉末 - X-MOL科学 ...
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2007年3月28日 在本文中，研究了使用硅藻土作为 Si 前驱体通过碳热还原反应低温合成碳化硅 (SiC) 的可能性。使用塞尔维亚来源的硅藻土和作为还原剂的炭黑。具有恒定 C/SiO2 比 (C/Si = 4) 的生坯在 1,250 °C 和 1,550 °C 之间的温度下使用受控的 Ar 流气氛加热。相 ...摘要： 以二氧化硅粉和竹炭粉为原料, 在无催化剂的条件下,于1400℃下用碳热还原制备了SiC纳米线.采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析了该纳米线的形貌 和化学组成,同时探讨了SiC纳米线的形成机理.结果表明,所制备的纳米线为β-SiC,纳米线直径为 ...碳热还原制备碳化硅纳米线 - 百度学术
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2008年4月15日 一定范围内控制的碳化硅超细粉末。主题词 溶胶- 凝胶 碳热还原反应 碳化硅超细粉末 中图分类号 TQ174 1 前言 碳化硅超细粉末有很多科研和工业用途,这是因 为它具有许多优良的物理和化学性能,如硬度、比强度2016年9月26日 本课题组 [12] 以正硅酸乙酯和蔗糖为原料, 采用溶胶-凝胶、微波碳热还原法, ... 为进一步研究所合成碳化硅晶须的显微结构, 采用TEM对所得产物进行了表征。从低倍TEM照片(图6(a)可知, 所合成的晶须长度较长。微波加热催化反应低温制备β-SiC粉体
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2015年3月17日 目前利用廉价的水玻璃为原料合成碳化硅纳米材料的报道比较少。 潘顺龙[ 1列利刚水玻璃和炭黑为原料． 通过喷雾十燥工艺制备反应前驱体， 利用碳热还原反应合成超细碳化硅粉体。 但合成的碳化硅的比表面积仅为13． 7 m Z ／g 。莫瓦桑也通过几种方法合成了碳化硅：包括用熔融的单质硅熔解单质碳、将碳化硅和硅石的混合物熔化和在电炉中用单质碳还原硅石的方法。但莫瓦桑在1903年时还是将碳化硅的发现归功于艾奇逊。[4] 艾奇逊在1893年2月28日为合成碳化硅粉末的方法申请了专利[5]碳化硅 - Wikiwand
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