首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2019年12月17日 目前，碳化硅陶瓷的烧结方法主要有热压烧结、无压烧结、反应烧结、重结晶烧结、微波烧结和放电等离子烧结法等。 热压烧结是把碳化硅粉末置于模具中，在加温的同时施加20~50MPa的轴向压力，这样有助于增大颗粒 2019年5月11日 反应烧结碳化硅，又称自结合碳化硅，是指多孔钢坯与气相或液相反应，提高钢坯质量，减少气孔，并以一定的强度和尺寸精度烧结成品的过程。 将α-SiC粉末与石墨按一定比例混合，加热到1650℃左右，形成方坯。碳化硅陶瓷的4种烧结工艺 你不可不知 - 知乎
了解更多
2021年5月24日 碳化硅陶瓷的烧结过程非常重要，经过众多研究者研究和探索工作，先后发展了各种烧结技术，包括反应烧结、常压烧结、重结晶烧结、热压烧结、热等静压烧结，以及近二 2024年4月25日 碳化硅的生产工艺流程主要包括以下几个步骤： 1. 原料准备：一般使用石英砂和焦炭作为原料。 2. 混合：将石英砂和焦炭按一定比例混合均匀。碳化硅的生产工艺流程是怎样的？ - 知乎
了解更多
2022年1月7日 碳化硅之无压烧结工艺可分为固相烧结碳化娃(SSiC)、液相烧结碳化娃(LSiC)。固相烧结是美国科学家Prochazka于1974年首先发明的, 他在亚微米级的β —SiC 中添加少量的硼与碳,实现碳化硅无压烧结, 制得接近理论密 2021年11月15日 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和碳化硅粉进行混合，经注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅反应，即在真空或惰性气氛下将坯体加热 碳化硅陶瓷七大烧结工艺_中国金属粉末行业门户
了解更多
具体来说，碳化硅反应烧结一般分为碳化硅原料制备、碳化硅反应烧结和后续处理三个部分。下面将分别介绍每个部分的工艺流程。1.碳化硅原料制备碳化硅反应烧结的首要工艺是制备碳化硅 反应烧结碳化硅陶瓷是一种工艺品，由细颗粒α-SiC和添加剂压制成素坯，在高温下与液态硅接触，坯体中的碳与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，游离硅填充了气孔，从而得到高致密性的陶瓷材料。反应烧结碳化硅陶瓷_百度百科
了解更多
2014年10月25日 碳化硅反应烧结工艺简述. 反应烧结是目前国内功能陶瓷与特种陶瓷最常用的烧结方法，因其生产工艺相对简单，生产成本较低，所以国内大部分碳化硅密封件、碳化硅轴承 2021年1月14日 但是，生产过程中过细的碳化硅（小于10微米）约占5-10%，约有15-25万吨，在普通行业没有很好的用途，恰恰成为碳化硅烧结最好的原材料。 成型的碳化硅又称为“精密陶瓷或特种陶瓷”，碳化硅烧结有三种方式：1、反应烧结：大量硅、炭与 ...常压烧结碳化硅技术产业化-青岛科技大学淄博研究院 - QUST
了解更多
2023年11月16日 PEP技术工艺流程 烧结，是3D 打印成形之后的关键环节。目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。升华三维总结了基于其PEP 3D打印工艺成形 碳化硅生产工艺流程 碳化硅是一种重要的无机材料，具有许多优异的性能，如高熔点、高 硬度、高耐化学性等。 ... 4.成型加工：烧结好的碳化硅材料通过机械加工、模压等方式进行成 型。如将材料制成砖块、片状或特定形状的模具。碳化硅舟生产流程合集 - 百度文库
了解更多
2020年6月10日 除了用烧结法制造碳化硅制品以外，自从发明了热压烧结技术以后，碳化硅制品也可以用热压法制造，并且可以获得更优良的烧结性能。热压工艺是把坯料的成型和烧成结合为一个过程，即坯料在高温同时又在压力下一次成型并烧结。碳化硅真空烧结炉的工艺流程 包括几个步骤，以达到所需的结果。首先，将碳化硅粉末与粘结剂和其他添加剂混合，形成绿体。然后将这个绿体放入模具中，并进行压实，以获得所需的形状。接下来，将绿体置于真空炉中加热，以去除任何残留的粘结剂 ...碳化硅真空烧结炉的工艺流程合 - 百度文库
了解更多
摘要： 介绍了250mm口径、4200mm曲率半径的反应烧结碳化硅球面反射镜光学加工和检测的工艺流程;并按照流程依次介绍了在研磨成型、细磨抛光和精抛光过程中使用的机床、磨具、磨料及采用的工艺参数和检测方法.介绍了在光学加工和检测各个步骤中应注意的问题.展示了加工后250mm口径反应烧结 ...2024年8月20日 碳化硅烧结陶瓷的制备工艺流程 主要包括粉末制备、成型、烧结及后处理四个基本阶段。每一阶段的操作条件和工艺参数都对最终产品的性能有着直接影响。粉末制备是碳化硅烧结陶瓷生产的第一步，关键在于获得高纯度、粒度分布合理的碳化硅 ...高维氏硬度“碳化硅烧结陶瓷”的制备工艺流程
了解更多
2024年9月26日 在此过程中，从未烧结、半烧结、烧结状态，碳化硅加工难度逐步增大。在未烧结或半烧结状态下，硅碳化物容易加工成所需形状。常规加工方法及即可。半烧结碳化硅加工推荐适用金刚石涂层或PCD刀具。具体刀具需求，可咨询拓岭的切削技术工程师。2023年7月7日 碳化硅概况 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高 ...碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比 - 电子发烧友网
了解更多
2021年8月18日 冷等静压成型结合无压烧结 技术、凝胶注模成型结合反应烧结制备技术、注浆 成型结合反应烧结制备技术、3D打印成型结合反 应烧结制备技术等几种复杂结构碳化硅陶瓷制备 工艺都有各自的优点，同时也存在一定的不足，实 际生产中应根据碳化硅陶瓷的应用2020年12月8日 SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎
了解更多
2019年4月9日 采取何种工艺烧结 制备SiC陶瓷取决于诸多因素，主要依据是制品的形状复杂程度、工作环境及其对高温力学性能包括强度、抗热冲击性能等的要求、制造成本等，需要综合考虑。目前在实际生产中，根据对产品性能要求的不同，主要采用陶瓷坯体 ...2023年7月7日 碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比-碳化硅的禁带宽度是硅的2-3倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的4-5倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以显 碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比 - 模拟技术
了解更多
2 天之前 碳化硅功率模块的生产工艺流程主要包括陶瓷基板排片、银浆印刷、芯片贴片、银烧结、真空回流焊、引线框架组装焊接、引线键合、等离子清洗、塑封、X光检测、测试包装等环节。 碳化硅半桥模块的生产工艺流程图 资料参考：苏州斯科半导体环评报告 4.碳化硅烧结压力是指在烧结过程中对碳化硅料施加的压力，一般通过压制、压模等方式进行。 综上所述，烧结碳化硅的技术参数涉及烧结工艺、物理性能、化学成分、微观结构等多个方面，这些参数的优化和控制对于烧结碳化硅材料的性能和应用具有重要意义。反应烧结碳化硅技术参数_百度文库
了解更多
2021年7月30日 简介：本技术涉及复合材料陶瓷制备技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅防弹陶瓷及其配方技术，按重量份计，包含以下组分：碳化物A96.5‑98.5份、碳化物B1.1‑1.8份、硼化物0.1‑1份、树脂12‑18份、氧化物1‑3份、分散剂0.15‑0.45份；在制备工艺上采用封闭式湿法连续研磨方式，减小了研磨过程 ...在碳化硅原料制备完成后，就可以进行碳化硅反应烧结的工艺了。碳化硅反应烧结的主要工艺流程 包括：混合、压制、硅碳反应和烧结。 (4)烧结：将硅碳反应后的坯体进行高温烧结处理，使其变得致密且强度优良。烧结温度一般在2200~2400之间，时间较长 ...碳化硅反应烧结的工艺_百度文库
了解更多
2023年6月16日 烧结是反应烧结碳化硅的制造过程中较为关键的步骤。烧结温度、烧结时间、烧结气氛等因素都会影响反应烧结碳化硅的性能。通常，反应烧结碳化硅的烧结温度在2000-2400℃之间，烧结时间一般为1-3小时，烧结气氛通常采用惰性气氛，如氩气、氮气等。碳化硅晶舟烧结工艺的核心原理是通过高温下的烧结过程，使碳化硅粉末颗粒之间发生结合，形成致密的晶体结构。 该工艺利用了碳化硅材料的高熔点、高热导率、高硬度等特性，以及热膨胀系数与硅单晶相近的特点。碳化硅晶舟烧结工艺 - 百度文库
了解更多
2022年11月3日 二 反应烧结 反应烧结碳化硅工艺是一种近净尺寸烧结工艺，在烧结过程中几乎没有收缩及尺寸变化，具有烧结温度低、产品结构致密、生产成本低等优点，适合制备大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷制品[6] 。早在上世纪 50 年代，P.Popper[7] 等人采用反应 ...2021年4月6日 工艺流程图如下： （碳化硅坯体反应烧结工艺流程图） 反应烧结碳化硅的优势是烧结温度低、生产成本低、材料致密化程度较高，特别是反应烧结过程中几乎不产生体积收缩，特别适合大尺寸复杂形状结构件的制备。【原创】 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘 - 中国粉体网
了解更多
2024年3月4日 碳化硅陶瓷工件是优异工程材料，广泛应用于多领域。其生产过程包括原料制备、成型、烧结、精加工等环节，需采用精密加工技术和设备。陶瓷雕铣机在碳化硅陶瓷工件生产中起关键作用，具有高精度、高效加工、灵活加工工艺和稳定加工质量等特点，能有效提高工件精度和加工效率，降低生产 ...2021年6月18日 碳化硅陶瓷加工欢迎致电钧杰陶瓷：134_128_56568，其的莫氏硬度可以达到9.0以上，那就意味着加工难度非常大。目前常见的碳化硅有：重结晶碳化硅、无压烧结碳化硅、氮化硅结合碳化硅、反应烧结碳化硅等，其中加 碳化硅陶瓷加工工艺细节讲解-钧杰陶瓷
了解更多
2014年8月12日 反应烧结碳化硅反射镜镜胚在制作过程中使用了碳化硅和硅两种材料，文中使用的是国内生产的 Φ30 mm 反应烧结碳化硅试片。使用 X 射线衍射(XRD)测量了反应烧结碳化硅试片的晶体结构，测量仪器为 PANalytical 公司的 XPERT-PRO 型 X射线衍射仪。2013年1月16日 反应烧结的碳化硅制品中包含20vol%左右的游离硅，而且烧结温度较低，所以反应烧结的碳化硅材料在机械强度、耐腐蚀性、耐磨损性方面均远低于无压烧结碳化硅制品。 附图说明 图1本发明凝胶注模成型、无压烧结制备碳化硅陶瓷叶轮的工艺流程示意图。一种凝胶注模成型、无压烧结制备碳化硅陶瓷叶轮的方法
了解更多
针对现有技术制备的大尺寸反应烧结碳化硅的成品率低的问题，本发明的目的在于提供一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构，所述支撑结构由上下两石墨板和位于其中间的陶瓷球构成，陶瓷球的滚动可以实现支撑区域位置的变化，而且支撑区域位置变化2022年12月1日 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使用；第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望 ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
了解更多
无压烧结碳化硅是一种生产碳化硅陶瓷的方法，在烧结过程中无需施加外部压力。 这种技术利用高纯度、超细碳化硅粉末。 它还辅以少量烧结助剂。 材料在惰性气体或真空环境中，在 1950°C 至 2100°C 的极高温下进行烧结。2023年10月28日 凝胶注成型工艺是制备碳化硅陶瓷部件的基础，该工艺是一种精细的胶态成型工艺 (Colloidalprocessing)，可实现大尺寸、复杂结构坯体的高强度、高均匀性、近净尺寸成型，陶瓷料 浆制备是凝胶注模成型工艺中的关键环节之一。大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷的成型工艺 - 百家号
了解更多
碳化硅粉生产工艺 引言 碳化硅粉是一种重要的工业原料，广泛应用于耐火材料、高级陶瓷、冶金等领域。本文将全面探讨碳化硅粉的生产工艺，包括原料选择、工艺流程、设备选型以及产品应用等方面。 原料选择 碳化硅粉的主要原料是石墨和二氧化硅。
了解更多