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2023年5月21日 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？. 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。. 其中，设备作为碳化硅产业链 2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
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2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其 一个能打的都没有？SiC芯片制造关键设备再突破，实现 ...
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2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公 司已推出 2023年12月5日 就技术路线而言，碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法（PVT）、高温气相化学沉积法（HT-CVD）、液相法（LPE）等方法，目前商用碳化硅单晶生长主流方法为相对成熟的PVT 法。半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； - 知乎
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2023年4月25日 SiC产业环节及关键装备. 1.1 SiC产业链环节. SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研 2023年5月13日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用 【原创】 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ - 中国粉体网
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2023年6月22日 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。. 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50 次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 - 知乎
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2024年2月29日 碳化硅单晶衬底的生产 流程 01 原料准备 物理气相传输法（PVT）需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量，特别是半绝缘型衬底，对粉料的纯度要求极高（杂质含量低 2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
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2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要 经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。整个流程所涉及的设备多达数十种 ...2024年3月20日 今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长：获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约；获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议；究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的 又一巨头建设8英寸SiC产线，已采购这家国产设备 今年一季度 ...
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4.3. 露笑科技：碳化硅布局国内领先，定增扩产 24 万片导电型衬底产能 公司成立于 2003 年，为国内最大的专业漆包线生产商之一、及国内领先的蓝宝石长 晶炉生产厂商。依托于蓝宝石业务的积累，向碳化硅“设备——衬底——外延”的 全产业链延伸。2021年11月25日 MLCC生产主要设备 一览 1、MLCC相关设备 MLCC工艺流程主要设备有混料机、真空脱泡机、砂磨机、三辊机、流延机、印刷机、叠层机、等静压机、切割机、排胶和烧结炉、倒角机、电镀设备、视觉检测（多面体检测设备、超声扫描成像系统等）、分选 ...MLCC生产设备一览 - 艾邦半导体网
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2024年2月26日 六、设备和人员要求 无尘车间内的设备和人员也需要满足一定的要求。设备需要具有高度的稳定性和可靠性，以减少故障和维修次数。人员则需要经过专业培训，了解无尘车间的运行要求和操作规程，以确保生产过程的顺利进行。七、定期检测与维护2023年5月13日 【原创】造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备 ？ 2023-05-13 来源： 中国粉体网 山川 87666 人阅读 标签碳化硅产业链 先进陶瓷 ... 加工过程非常缓慢，外延生长所需温度极高且工艺窗口很小，芯片制程工艺也需要高温高能设备制备等。碳化硅器件生产 ...【原创】 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ - 中国粉体网
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2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 ...2023年10月27日 生产碳化硅 器件主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节 ... 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用， 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
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2020年6月10日 纯净的碳化硅是无色透明的，但工业生产的碳化硅由于其中存在游离碳、铁、硅等杂质，产品有黄、黑、墨绿、浅绿等不同色泽，常见的为浅绿和黑色。碳化硅的相对分子质量为40.09,其中硅占70.04%，碳占29.964。 真密度3.21。熔点(升华)2600℃。晶型 ...2023年5月13日 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？
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2020年12月2日 这也是为什么半导体巨头在碳化硅 的研发上不断加码的原因：希望把器件体积做得越来越小、能量密度越来越大 ... SiC外延片制备设备情况 碳化硅 外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有四家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大 ...2021年10月21日 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，由于其宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、大击穿场强等优势，是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。其中， SiC功率器件具有能量密度高、 ... ,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第三代半导体器件制备关键环节：外延（上） - 联盟动态 ...
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2024年9月23日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅（SiC）用途有哪些 ？ 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括 ...2022年2月18日 Explore Zhihu Zhuanlan, a platform for free expression and creative writing on various topics.锂电正负极材料设备行业研究：聚焦正负极材料生产设备 - 知乎
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2023年9月14日 SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇 2 1、关键假设、驱动因素及主要预测 关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。驱动因素： 1）新能源汽车渗透率持续提升，我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...碳化硅 - 百度百科
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2024年7月26日 如今6英寸碳化硅设备市场趋于饱和，8英寸碳化硅设备如何快速迭代赢得市场？ 在大范围爆发前，制造厂采购8英寸设备的障碍是什么 A： 目前市场还是以6英寸为主， 8英寸完全替代6英寸有以下几个难点：第一，当下8英寸刚解决了有和无的问题，运行成本和稳定性问题有待 2023年6月30日 作为半导体产业链的上游支撑产业，半导体设备通常决定了中游制造产业的品质及下游应用产业的广泛性。根据行业内“一代设备，一代工艺，一代产品”的经验，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品，“设备—工艺—产品”互相促进 ...芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备
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2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：2022年12月1日 这些问题需要在碳化硅 离子注入和退火工艺制造中进行优化和研究。 五、改进碳化硅离子注入工艺 ... （2）提高离子注入设备中靶盘的质量，使晶圆与靶盘更紧密贴合，提高热传导性能，确保在碳化硅晶圆上进行高温高能离子注入的质量（如图9 ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
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2022年12月15日 集微网了解到，相对于硅产业而言，碳化硅作为一个新材料，其发展时间较短，国内在碳化硅领域与国际领先水平的差距并没有那么大。同时，碳化硅器件为功率半导体产品，属于成熟制程范畴，芯片制造一般只需要350nm的工艺制程，国内半导体企业都能从中看到超越国际巨头的新机遇。2022年3月7日 综合来看，仅电控产品来看碳化硅MOSFET在800V平台的应用确定性要强于400V平台，而对于小三电产品中，当下最大的制约因素为材料成本，短期替代性不强。碳化硅的生产过程 和其他功率半导体一样，碳化硅MOSFET产业链包括长晶-衬底-外延-设计-制造碳化硅产品的应用方向和生产过程 - 知乎
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2023年5月13日 【原创】造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备 ？ 2023-05-13 来源： 中国粉体网 山川 87011 人阅读 标签碳化硅产业链 先进陶瓷 ... 加工过程非常缓慢，外延生长所需温度极高且工艺窗口很小，芯片制程工艺也需要高温高能设备制备等。碳化硅器件生产 ...2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1. 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2. 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点？？ - 知乎
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首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做 2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要 ...这种工艺以生产高质量、纯净和均匀的碳化硅层而闻名。 由于碳化硅的独特性能，这些层对各种工业应用至关重要。 碳化硅具有低密度、高硬度、极高的硬度和出色的耐磨性。 什么是碳化硅的 CVD 工艺？4 个关键步骤说明 1.基底制备什么是碳化硅的 Cvd 工艺？4 个关键步骤解析 - Kintek Solution
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2023年9月12日 这两种碳化硅晶圆生产方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。碳化硅有什么用途？碳化硅的优点 从历史上看，制造商在高温环境下使用碳化硅来制造轴承、加热机械部件、汽车制动器，甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC的优势主要有：
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