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使用金刚线或游离砂浆切割半导体碳化硅、蓝宝石等硬晶体的摇摆型切片专用设备。. 性能优势. 加工直径兼容6英寸、8英寸,实现一机多用;. 装载量最大450mm,实现多锭同时切割;. 最大 2022年8月15日 2020 年 8 月,天科合达的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在北 京市大兴区顺利开工,总投资约 9.5 亿元人民币,总建筑面积 5.5 万平方米,新 建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备 碳化硅行业研究:SiC成本逐步下降,行业有望迎来
了解更多2023年11月30日 宇晶股份 近日在调研中表示,公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克,设备的精度已经达到行业一流水平,公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片,目前公司生产的碳化硅切、磨、 碳化硅半导体产业链很长,为了促进行业交流和发展,艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群,欢迎碳化硅前道材料与加工设备,后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论,目前加入的企业有三安,晶盛电机,基本半导体,华润 10余家企业参与,5年内碳化硅(SiC)将全面入8英
了解更多2023年9月27日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对 高功率、高电压、高频率 的需求,主要被用于制作高速、高频、 2016年7月8日 碳化硅微粉加工设备机器 2016年6月14日 碳化硅具有较强的导热性能和化学稳定性能,颜色常呈现绿色,结构为晶体结构,硬度相对较高。经加工后的碳化硅微粉的用途也相当广,况且加工 碳化硅纳米线(超长) 高纯碳化硅纳米线 南京先丰纳米材料科技有限碳化硅后线加工设备价格
了解更多2022年4月24日 4. 4 耐磨损机械领域 碳化硅的高硬度和较低的摩擦系数,赋予其优异的耐磨性能,特别适合各种滑动摩擦磨损工况,如图 22(a)、(b)所示,碳化硅可加工成各种形状、尺寸精度和表面光洁度高的密封环,作为机械密 2023年5月21日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备,粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求,但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备,采用设备与工艺打包销售的方式,极大的增 造一颗SiC芯片,需要哪些关键设备?_工艺_碳化硅_
了解更多2023年10月27日 2022年净利润为负,主要系产线、设备调整等导致临时性产能下滑,以及公司为新建产能投产所招聘的人员数量较大,导致薪酬支出大幅上升,对净利润影响较大。4、德龙激光:聚焦激光加工设备,推出碳化硅激光切割设备3 天之前 3 典型碳化硅磨抛加工技术的效果对比 已经有大量的研究人员针对碳化硅衬底的磨抛 加工技术进行了深入研究,从传统机械磨抛技术、特 种能量辅助机械磨抛技术到化学腐蚀反应磨抛技 术、机械诱导反应磨抛技术,研究人员通过使用不同 的磨粒,添加不同的.碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网
了解更多4 天之前 近日,南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术,标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题,还大大提升了产率。 来源:南京大学官网 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术,同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常 ...2023年5月17日 目前国内厂商已经掌握砂浆切割技术,但砂浆切割存在损耗大、效率低等问题,正在逐渐被金刚线切割技术迭代,同时,激光技术是性能和成本表现最佳的碳化硅衬底切割技术,激光切割的性能和效率优势突出,同时采购设备后不需要持续采购耗材,具有成本碳化硅材料切割的下一局:激光切割-suset-piezo
了解更多2023年11月12日 实际上,国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大,主要还在设备的精度和稳定性上,这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响,目前国内企业相比国外还有差距,因此碳化硅切磨抛装备仍以进口为主,导致国内厂商生产成本居高不下,碳化硅切磨抛设备的国产替代需求迫切,还需相关厂商 ...2022年3月2日 2020 年 8 月 17,公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工,总投资约 9.5 亿元 人民币,总建筑面积 5.5 万平方米,将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,计划于 2022 年年初完工投产,建成后 可年产碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有 ...
了解更多2022年3月22日 2) 半导体设备:公司已实现 8 英寸硅片晶体生长、切片、抛光、外延加工设备全覆盖 (占比整线设备 80%价值量),12 英寸硅片长晶炉设备已小批量 ...2024年8月19日 近年来,意法半导体、Wolfspeed、英飞凌、罗姆、安森美、三安光电、三菱电机等各大厂商加大碳化硅衬底外延产能,碳化硅衬底出现了价格下滑现象,有业界人士认为,汽车是碳化硅最主要的应用市场之一,当主机厂降本压力与日俱增,碳化硅器件厂商也难逃碳化硅,跨入高速轨道-全球半导体观察
了解更多2015年3月7日 我公司能够生产优质的碳化硅加工设备,如碳化硅球磨机、碳化硅分级机、摆式磨粉机等,能够实现对碳化硅的优质加工。 ... 我想要一套碎石生产线设备 详细的配置方案和报价 05. 履带式移动破碎机价格多少? 版权所有:河南红星矿山机器有限 ...2024年4月19日 南京大学科技成果推介 第一百二十四篇大尺寸碳化硅激光切片设备与技术所属领域新材料(第三代半导体材料加工设备)项目介绍1. 痛点问题SiC不仅是关系国防安全的的重要技术,同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶加工过程的第一 ...成果推介:大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - NJU
了解更多2022年9月28日 表2: 黄河旋风碳化硅切割专用金刚线加工实例 项目 指标 加工设备 安永HW810 加工速度m/min 2800 加工工件 Φ6″半绝缘 线径尺寸mm 0.17 加工时间 17H 耗线量m/片 560 平均厚度μm 586.252 TTV(平均值)μm 11.443 WARP(平均值)μm 16.3122023年4月26日 2023年碳化硅设备行业深度报告,SiC不同晶体结构性能各异。SiC由于C原子和Si原子结合方式多样,有200多种同质异型晶体结构,其中6H-SiC结构稳定,发光性能好,适合光电子器件;3C-SiC饱和电子漂移速度高,适合高频大功率器件;4H-SiC电子 ...2023年碳化硅设备行业深度报告 SiC不同晶体结构性能各异
了解更多2023年8月11日 由于SiC材料硬度高、脆性大、化学性质稳定,加工难度大,今天我们先重点聊一聊晶体加工的环节设备情况。切割是首道加工工序 切割是衬底加工中首要关键的工序,成本占总加工成本50%以上。切割是碳化硅晶棒第一道加工工序,决定了后续研磨、抛光的加工2016年7月28日 随着经济的快速发展,碳化硅的用量在逐年增加,为了使碳化硅资源得到更加合理的应用,红星机器采用破碎和磨粉设备进行碳化硅的加工作业,破碎磨粉后的碳化硅扩大了应用范围,提高了资源的利用率,解决了目前碳化硅用量紧缺的问题,本文我们就对碳化硅加工用到的破碎和磨粉两类设备展开 ...碳化硅加工生产设备-河南破碎机生产厂家
了解更多2024年6月5日 从碳化硅产业链整体来看,主要包括晶体 生长、切磨抛、出货、外延 生长、以及量测检测等环节。在每个步骤中,都有关键的监控点,比如晶体生长时的籽晶粘接,气泡处理等。碳化硅的生长采用升华方法,与硅液拉单晶不同,可能存在位错缺陷,包括微管等晶格缺陷,需要 2023年5月18日 目前国内厂商已经掌握砂浆切割技术,但砂浆切割存在损耗大、效率低等问题,正在逐渐被金刚线切割技术迭代,同时,激光技术是性能和成本表现最佳的碳化硅衬底切割技术,激光切割的性能和效率优势突出,同时采购设备后不需要持续采购耗材,具有成本碳化硅材料切割的下一局:激光切割 - 电子工程专辑 EE ...
了解更多2023年4月3日 HT-CVD:起步晚,能够制备高纯度、高质量的半绝缘碳化硅晶体,但设备昂贵、高纯气体价格 ... 机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。2015年4月10日 后,再上一个大图,您是不是看清楚了?用泰州晨虹数控金刚石线切割机切割的碳化硅表面真的比原来客人用其他设备切割出来的表面粗糙度好很多。泰州晨虹数控金刚石线切割机切割的烧结碳化硅,拍摄时间 2015年3月25日。加工实例:烧结碳化硅陶瓷(油石类)切割效果-线切割机 ...
了解更多2020年6月11日 自2015年开始,大族显视与半导体配合半导体行业客户需求,自主研发并生产了第三代半导体SiC晶圆激光内部改质切割设备,打破了国外技术垄断,填补了国内市场空白。该技术自成型以来,已形成批量销售,大族显视与半导体技术团队以激光切割设备为核心在多个客户现场提供整套的碳化硅切割 ...其卓越的机械加工性能非常适合加工形状复杂和尺寸较小的部件。除了易于加工之外,Mycalex 还具有多种优势,例如防潮性、高温尺寸稳定性和出色的介电强度。 由于其高机械加工性能,Mycalex 非常适合各种 CNC 加工操作,包括车削、 陶瓷 CNC 加工综合指南 - Runsom Precision
了解更多碳化硅多线切片机 设备尺寸 W4030×D2010×H3210mm 设备重量 约11000kg 加工能力 直径(或对角线尺寸) 6英寸、8英寸 厚度 Max.450mm 支持系统 电源容量 Max. 120KVA 电源电压 AC三相380V 压缩空气(供给压力) 0.6 MPa以上 主轴 主电机 25kW 罗拉2022年12月15日 在研磨工艺后的清洗环节,国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后(Post-CMP)清洗设备,该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗,6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅(SiC)衬底制造,8英寸和12英寸配置产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”_
了解更多2022年10月3日 设备封装是一个重要的额外成本,但是,这个成本与基于硅的设备没有什么不同。此外,虽然早期的 EV 逆变器使用了 TO247 封装的 MOSFET,但随着时间的推移,人们预计会为定制的逆变器模块提供裸芯片。降低SiC成本 多种因素的综合结果将带来 SiC 价格的2021年10月13日 安永6-8寸碳化硅专用金刚线多线线切机近日,株式会社安永(以下:安永)与吉永商事株式会社(以下:吉永商事)及芯茂(嘉兴)半导体科技有限公司(以下:芯茂科技),达成三方战略合作。以吉永商事为窗口,将日本安 ... ,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟「成员风采」安永6-8寸碳化硅专用金刚线多线线切机运抵中国 ...
了解更多2023年11月30日 宇晶股份 近日在调研中表示,公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克,设备的精度已经达到行业一流水平,公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片,目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量销售。2024年2月1日 经过单晶生长获得SiC晶碇后,紧接着就是 SiC 衬底的制备,通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨(减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定,受加工半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解; - 知乎专栏
了解更多2014年11月7日 碳化硅零部件机械加工工艺摘要:为了满足碳化硅材料部件工程项目需求,开展了SiC材料零件机械加工工艺性能的研究。首先分析了材料性能,接着根据碳化硅材料性能,开展了磨削工艺、数控加工、线切割及超声波加工机械工艺试验;最后针对加工中出现的技术难题,采取了特殊的工艺措施。
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